非晶硅DR平板探测器工作原理:X线先经荧光介质材料转换成可见光,再由光敏元件将可见光信号转换成电信号,最后将模拟电信号经A/D转换成数字信号。
具体原理体现为:
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曝光前,先使硅表面存储阳离子而产生均一电荷,导致在硅表面产生电子场;
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曝光期间,在硅内产生电子-空穴对,且自由电子游离到表面,导致在硅表面产生潜在的电荷影像,在每一点上电荷密度与局部X线强度相当。
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曝光后,X线图像被储存在每一个像素中;
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半导体转换器读出每一个素,完成模数转换。
优点:
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转换效率高;
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动态范围广;
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空间分辨率高;
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在低分辨率区X线吸收率高(原因是其原子序数高于非晶硒);
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环境适应性强。
缺点:
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高剂量时DQE不如非晶硒型;
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因有荧光转换层故存在轻微散射效应;
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锐利度相对略低于非晶硒型。
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