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便携式移动DR平板探测器选型:CCD vs 非晶硅 vs IGZO对比

|
对比维度 |
CCD(光学耦合) |
非晶硅 a-Si TFT |
IGZO TFT |
|
电子迁移率 |
—(电荷耦合器件) |
约 1 cm²/V·s |
约 10~30 cm²/V·s |
|
像素尺寸 |
受耦合限制,难做小 |
常见 140~150 μm |
可做到 100 μm 以下 |
|
空间分辨率 |
中等 |
3.5~4 lp/mm |
可达 5 lp/mm 以上 |
|
量子探测效率 DQE |
偏低 |
中等(主流水平) |
较高 |
|
低剂量表现 |
较弱 |
一般 |
优秀 |
|
动态/透视能力 |
基本不支持 |
部分支持 |
支持较好 |
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重量与厚度 |
偏厚偏重 |
轻薄 |
轻薄 |
|
成本 |
低 |
中 |
较高 |
|
当前定位 |
逐步退场 |
主流主力 |
高端升级 |
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